База данных: База IPR
Беті 1, Нәтижелерін: 11
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
134582
Асеев, А. Л.
Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / Асеев А. Л. - Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. - 144 с. - ISBN 978-5-4437-1360-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- нанотехнологии -- нейропроцессор -- полупроводник -- спинтроника -- физика -- электроника -- электронная память
Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.
Асеев, А. Л.
Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / Асеев А. Л. - Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. - 144 с. - ISBN 978-5-4437-1360-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
интегральная микросхема -- нанотехнологии -- нейропроцессор -- полупроводник -- спинтроника -- физика -- электроника -- электронная память
Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.
2.
Подробнее
135991
Поклонский, Н. А.
Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Поклонский Н. А. - Минск : Белорусская наука, 2023. - 312 с. - ISBN 978-985-08-3053-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
атомная диффузия -- полупроводниковых систем -- решеточная теплопроводность -- физика
Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.
Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.
Поклонская, О. Н.
Поклонский, Н. А.
Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Поклонский Н. А. - Минск : Белорусская наука, 2023. - 312 с. - ISBN 978-985-08-3053-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
атомная диффузия -- полупроводниковых систем -- решеточная теплопроводность -- физика
Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.
Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.
Поклонская, О. Н.
3.
Подробнее
131465
Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Бугаев Л. А. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - ISBN 978-5-9275-4251-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- материал -- наноматериал -- физика -- экспериментальный метод -- электронная структура
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.
Доп.точки доступа:
Бугаев, Л. А.
Сухарина, Г. Б.
Авакян, Л. А.
Срабионян, В. В.
Ермакова, А. М.
Курзина, Т. И.
Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Бугаев Л. А. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - ISBN 978-5-9275-4251-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- материал -- наноматериал -- физика -- экспериментальный метод -- электронная структура
Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.
Доп.точки доступа:
Бугаев, Л. А.
Сухарина, Г. Б.
Авакян, Л. А.
Срабионян, В. В.
Ермакова, А. М.
Курзина, Т. И.
4.
Подробнее
128656
Сударь, Н. Т.
Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Сударь Н. Т. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. - 153 с. - ISBN 978-5-7422-7820-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
высокомолекулярные соединения -- полимерные диэлектрики -- сильное поле -- электрическое поле
Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.
Сударь, Н. Т.
Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Сударь Н. Т. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. - 153 с. - ISBN 978-5-7422-7820-7 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
высокомолекулярные соединения -- полимерные диэлектрики -- сильное поле -- электрическое поле
Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.
5.
Подробнее
87718
Малышев, И. В.
Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / Малышев И. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 145 с. - ISBN 978-5-9275-3016-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
гидродинамическое приближение -- дрейфово-диффузионная модель -- закон фика -- кинетический эффект -- кинетическое уравнение -- магнитное поле -- метод монте-карло -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый прибор -- электрическое поле
Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.
Доп.точки доступа:
Паршина, Н. В.
Малышев, И. В.
Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / Малышев И. В. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 145 с. - ISBN 978-5-9275-3016-8 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
гидродинамическое приближение -- дрейфово-диффузионная модель -- закон фика -- кинетический эффект -- кинетическое уравнение -- магнитное поле -- метод монте-карло -- полупроводниковая структура -- полупроводниковый прибор -- электрическое поле
Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.
Доп.точки доступа:
Паршина, Н. В.
6.
Подробнее
84702
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.
Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / Никифоров С. В. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - ISBN 978-5-94836-490-2 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
заряд -- ионизация -- люминесценция -- нестехиометрическая оксидная диэлектрика -- радиационно-индуцированный процесс
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Доп.точки доступа:
Кортов, В. С.
7.
Подробнее
54132
Филяк, М. М.
Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках : учебное пособие / Филяк М. М. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 134 с. - ISBN 978-5-7410-1188-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379я73
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- полупроводник -- проводниковый материал -- физический процесс -- электропроводность металла
Аннотация: В учебном пособии представлены общие сведения о материалах электронных средств, дана их классификация и применение. Основное внимание уделено рассмотрению физических процессов, происходящих в диэлектриках, проводниках и полупроводниках, влияющих на их свойства в процессе получения материалов и в ходе эксплуатации устройств, созданных на их основе. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по программам высшего профессионального образования по направлению подготовки 211000.62 Конструирование и технология электронных средств.
Филяк, М. М.
Основные физические процессы в проводниках, полупроводниках и диэлектриках : учебное пособие / Филяк М. М. - Оренбург : Оренбургский государственный университет, ЭБС АСВ, 2015. - 134 с. - ISBN 978-5-7410-1188-1 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик -- полупроводник -- проводниковый материал -- физический процесс -- электропроводность металла
Аннотация: В учебном пособии представлены общие сведения о материалах электронных средств, дана их классификация и применение. Основное внимание уделено рассмотрению физических процессов, происходящих в диэлектриках, проводниках и полупроводниках, влияющих на их свойства в процессе получения материалов и в ходе эксплуатации устройств, созданных на их основе. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по программам высшего профессионального образования по направлению подготовки 211000.62 Конструирование и технология электронных средств.
8.
Подробнее
155224
Демин, М. В.
Разработка макета мозг-компьютерного интерфейса : методическое пособие / Демин М. В. - Калининград : Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, 2023. - 51 с. - ISBN 978-5-9971-0755-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
компонентная база -- макет -- мозг-компьютерный интерфейс -- разработка
Аннотация: Содержит подробную информацию о подборе компонентной базы для создания макета мозг-компьютерного интерфейса. Рассмотрены основные этапы разработки макета, а именно: определение требований к системе, анализ компонентов, выбор оптимальной компонентной базы и ее интеграция в модель мозг-компьютерного интерфейса. Дано описание различных компонентов, используемых в мозг-компьютерных интерфейсах, отмечены их преимущества и недостатки, а также различные методы их сравнения и выбора. Рассмотрены вопросы интеграции компонентов. Пособие будет полезно студентам и аспирантам, обучающимся по направлениям «Физика твердого тела», «Электротехника», а также преподавателям и научным сотрудникам, занимающимся разработкой мозг-компьютерных интерфейсов.
Демин, М. В.
Разработка макета мозг-компьютерного интерфейса : методическое пособие / Демин М. В. - Калининград : Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, 2023. - 51 с. - ISBN 978-5-9971-0755-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
компонентная база -- макет -- мозг-компьютерный интерфейс -- разработка
Аннотация: Содержит подробную информацию о подборе компонентной базы для создания макета мозг-компьютерного интерфейса. Рассмотрены основные этапы разработки макета, а именно: определение требований к системе, анализ компонентов, выбор оптимальной компонентной базы и ее интеграция в модель мозг-компьютерного интерфейса. Дано описание различных компонентов, используемых в мозг-компьютерных интерфейсах, отмечены их преимущества и недостатки, а также различные методы их сравнения и выбора. Рассмотрены вопросы интеграции компонентов. Пособие будет полезно студентам и аспирантам, обучающимся по направлениям «Физика твердого тела», «Электротехника», а также преподавателям и научным сотрудникам, занимающимся разработкой мозг-компьютерных интерфейсов.
9.
Подробнее
155225
Демин, М. В.
Разработка макета температурного микродатчика в приложении оптогенетики : методическое пособие / Демин М. В. - Калининград : Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, 2023. - 80 с. - ISBN 987-5-9971-0739-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
имплантируемые устройства -- компонентная база -- оптоэлектронные устройства -- температурный датчик
Аннотация: Рассмотрены основные подходы к определению структуры, компонентной базы и методам создания температурного датчика, предназначенного для оптоэлектронного имплантируемого устройства. Сделан обзор оптоэлектронных имплантируемых устройств и требований, предъявляемых к ним. Описана разработка схемотехнического решения устройства. Рассмотрены пошаговый процесс создания материалов для датчика, а также процесс синтеза материалов температурного датчика. Предназначено для магистрантов и аспирантов, исследующих области материаловедения на стыке нейробиологии и методов ФКС; может быть полезно для формирования кроссотраслевых компетенций.
Демин, М. В.
Разработка макета температурного микродатчика в приложении оптогенетики : методическое пособие / Демин М. В. - Калининград : Балтийский федеральный университет им. Иммануила Канта, 2023. - 80 с. - ISBN 987-5-9971-0739-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
имплантируемые устройства -- компонентная база -- оптоэлектронные устройства -- температурный датчик
Аннотация: Рассмотрены основные подходы к определению структуры, компонентной базы и методам создания температурного датчика, предназначенного для оптоэлектронного имплантируемого устройства. Сделан обзор оптоэлектронных имплантируемых устройств и требований, предъявляемых к ним. Описана разработка схемотехнического решения устройства. Рассмотрены пошаговый процесс создания материалов для датчика, а также процесс синтеза материалов температурного датчика. Предназначено для магистрантов и аспирантов, исследующих области материаловедения на стыке нейробиологии и методов ФКС; может быть полезно для формирования кроссотраслевых компетенций.
10.
Подробнее
116427
Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2018. - 148 с. - ISBN 978-5-7262-2422-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.379
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- карбид кремния -- тонкопленочная гетерокомпозиция
Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.
Сафаралиев, Г. К.
Стриханов, М. Н.
Каргин, Н. И.
Харламов, Н. А.
Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2018. - 148 с. - ISBN 978-5-7262-2422-0 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- карбид кремния -- тонкопленочная гетерокомпозиция
Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.
Доп.точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.
Сафаралиев, Г. К.
Стриханов, М. Н.
Каргин, Н. И.
Харламов, Н. А.
Беті 1, Нәтижелерін: 11