База данных: База IPR
Беті 1, Нәтижелерін: 2
Отмеченные записи: 0
1.
Подробнее
155578
Молекулярная динамика для материаловедов : учебное пособие / Батаев И. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2024. - 106 с. - ISBN 978-5-7782-5251-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 30.3
Кл.слова (ненормированные):
баростат -- материаловедение -- межатомное взаимодействие -- молекулярная динамика -- термостат -- уравнение движения -- численные методы
Аннотация: Рассматриваются теоретические основы метода молекулярной динамики и его применение для решения типовых задач в материаловедении. Изложена краткая история возникновения метода; объясняются численные методы решения уравнений движения в системах, состоящих из множества атомов; анализируются наиболее известные потенциалы межатомного взаимодействия; объясняются граничные условия; дается представление о концепциях термостатов и баростатов. Пособие содержит анализ большого количества задач, решенных с использованием программного обеспечения LAMMPS. Издание предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 22.03.01, 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» и 28.03.02 «Наноинженерия».
Доп.точки доступа:
Батаев, И. А.
Эмурлаев, К. И.
Головин, Е. Д.
Огнева, Т. С.
Довженко, Г. Д.
Молекулярная динамика для материаловедов : учебное пособие / Батаев И. А. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2024. - 106 с. - ISBN 978-5-7782-5251-6 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
баростат -- материаловедение -- межатомное взаимодействие -- молекулярная динамика -- термостат -- уравнение движения -- численные методы
Аннотация: Рассматриваются теоретические основы метода молекулярной динамики и его применение для решения типовых задач в материаловедении. Изложена краткая история возникновения метода; объясняются численные методы решения уравнений движения в системах, состоящих из множества атомов; анализируются наиболее известные потенциалы межатомного взаимодействия; объясняются граничные условия; дается представление о концепциях термостатов и баростатов. Пособие содержит анализ большого количества задач, решенных с использованием программного обеспечения LAMMPS. Издание предназначено для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 22.03.01, 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» и 28.03.02 «Наноинженерия».
Доп.точки доступа:
Батаев, И. А.
Эмурлаев, К. И.
Головин, Е. Д.
Огнева, Т. С.
Довженко, Г. Д.
2.
Подробнее
87511
Физика. Введение в твердотельную электронику : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
ББК 22.37
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.
Какурина, Н. А.
Какурин, Ю. Б.
Черепанцев, А. С.
Физика. Введение в твердотельную электронику : учебное пособие / Захаров А. Г. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 107 с. - ISBN 978-5-9275-2621-5 : Б. ц.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
| УДК |
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктура -- идеальный кристалл -- межатомное взаимодействие -- полупроводник -- сверхпроводимость -- твердое тело -- твердотельная электроника -- физика -- электронно-дырочный переход
Аннотация: В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Доп.точки доступа:
Захаров, А. Г.
Какурина, Н. А.
Какурин, Ю. Б.
Черепанцев, А. С.
Беті 1, Нәтижелерін: 2